سامسونگ SSD فشرده ۲۵۶ ترابایتی خود را، برای مراکز داده هوش مصنوعی معرفی کرد

سامسونگ، در رویداد Global Memory Innovation Forum 2026 در شنژن چین، از دو SSD سازمانی نسل جدید رونمایی کرد. مدل BM1773 با ظرفیت حداکثر ۲۵۶ ترابایت برای سرورهای مراکز داده طراحی شده است و مدل PM1763 نیز با رابط PCIe 6.0، سرعت خواندن ترتیبی تا ۲۸٫۴ گیگابایت برثانیه ارائه می دهد.

گوشی سامسونگخرید گوشی سامسونگ

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A57 دو سیم کارت ظرفیت 512 گیگابایت و رم 12 گیگابایت

199,200,0001٪

197,208,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A27 دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 8 گیگابایت

115,200,0001٪

114,048,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A27 دو سیم کارت ظرفیت 128 گیگابایت و رم 6 گیگابایت

93,100,0001٪

92,169,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A57 دو سیم کارت ظرفیت 128 گیگابایت و رم 8 گیگابایت

147,200,0001٪

145,728,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A57 دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 8 گیگابایت

163,200,0001٪

161,568,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A57 دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت

178,200,0001٪

176,418,000 تومان

گوشی موبایل سامسونگ مدل گلکسی A37 دو سیم کارت ظرفیت 128 گیگابایت و رم 8 گیگابایت

110,100,0001٪

108,999,000 تومان

BM1773؛ ظرفیت ۲۵۶ ترابایتی در ابعاد فشرده

SSD مدل BM1773 از نوع QLC و در فرم فکتور فشرده E3.S عرضه می شود و ظرفیت آن به حداکثر ۲۵۶ ترابایت می رسد. این درایو از حافظه فلش NAND پرظرفیت نسل نهم سامسونگ با نام V9Q 2Tb و معماری ۱۶ کاناله PCIe 5.0 بهره می برد.

سرعت خواندن ترتیبی این SSD به ۴٫۵ گیگابایت برثانیه و سرعت نوشتن تصادفی آن به ۵۰ هزار IOPS می رسد. در مقایسه با SSDهای QLC نسل قبل، میزان کل داده قابل نوشتن (TBW) در BM1773 دو برابر شده است و دوام آن ۰٫۶ نوشتن کامل درایو در روز (DWPD) اعلام شده است.

این مدل به سازوکار هوشمند بازیابی پس از خرابی دای مجهز است؛ بنابراین اگر یک دای حافظه از کار بیفتد، درایو به جای ورود کامل به حالت فقط خواندنی، به کار عادی خود ادامه می دهد. پشتیبانی از CNSA 2.0 و گواهی FIPS در سطح زیرتراشه نیز از قابلیت های امنیتی و انطباقی آن هستند.

PM1763 برای بارهای کاری سازمانی پرسرعت

مدل PM1763 یک SSD سازمانی مبتنی بر PCIe 6.0 است که سرعت خواندن ترتیبی آن به ۲۸٫۴ گیگابایت برثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی آن به ۲۱ گیگابایت برثانیه می رسد؛ هر دو سرعت دو برابر سخت افزار نسل قبل هستند. این درایو با ظرفیت های ۴ تا ۶۴ ترابایت و در فرم فکتورهای E1.S، E3.S و U.2 عرضه می شود.

بهره وری انرژی PM1763 در مقایسه با نسل قبل ۱٫۸ برابر بهتر شده است و این مدل برای سامانه های خنک کننده مایع امروزی طراحی شده است. قابلیت های امنیتی آن شامل CNSA 2.0، رمزنگاری پساکوانتومی (PQC)، SPDM و رمزنگاری مبتنی بر TDISP می شود تا از بارهای کاری حساس سرورها محافظت کند.

NAND بیش از ۴۰۰ لایه و zNAND-O برای هوش مصنوعی روی دستگاه

سامسونگ همچنین V10 NAND را معرفی کرد؛ محصولی که نخستین حافظه فلش صنعت با بیش از ۴۰۰ لایه روی هم چیده شده محسوب می شود. در مقایسه با نسل های پیشین، چگالی داده در V10 به میزان ۵۸ درصد و سرعت انتقال داده ۳۳ درصد افزایش یافته است و مصرف انرژی آن ۲۵ درصد کاهش پیدا کرده است.

این شرکت در کنار آن، zNAND-O را برای پردازش های هوش مصنوعی لبه ای و روی دستگاه به نمایش گذاشت. این فناوری که به عنوان پلی پرسرعت میان DRAM معمولی و حافظه فلش معرفی شده است، چگالی داده ای ۱۰ برابر DRAM دارد. به گفته سامسونگ، این ویژگی به دستگاه هایی مانند لپ تاپ، گوشی هوشمند و تبلت امکان می دهد مدل های بزرگ هوش مصنوعی را به صورت محلی و با هزینه ای بسیار کمتر اجرا کنند.

منبع:SamMobile