سامسونگ الکترونیکس در کنار فناوری های تازه فلش V10 BV-NAND و حافظه zHBM، چند راهکار پیشرفته دیگر در زمینه حافظه و ذخیره سازی را نیز برای مراکز داده هوش مصنوعی آینده به نمایش گذاشت. هدف این محصولات افزایش سرعت پردازش و بهبود بهره وری انرژی برای تسریع پردازش های هوش مصنوعی است.
zNAND-O جدیدترین مفهوم حافظه فلش 3D NAND پرسرعت سامسونگ است که مخصوص محاسبات هوش مصنوعی در لبه شبکه طراحی شده است. این حافظه در دو نسخه چهار لایه و هشت لایه توسعه می یابد و قرار است تاخیر کمتر و سرعت انتقال داده بالاتری نسبت به تراشه های فلش NAND فعلی ارائه دهد. طراحی فشرده آن می تواند برای دستگاه های هوشمند از جمله لپ تاپ، گوشی هوشمند و تبلت و همچنین کاربردهای رباتیک مناسب باشد.
سامسونگ همچنین تراشه حافظه LPDDR5X-PIM را به نمایش گذاشت که به گفته این شرکت، نخستین حافظه LPDDR در صنعت با قابلیت پردازش داده درون ساخته است. از آنجا که پردازش درون خود تراشه حافظه انجام می شود، این فناوری می تواند جابه جایی داده را کاهش داده و بهره وری انرژی را بهبود بخشد.
PM1773 اس اس دی سازمانی پرسرعت سامسونگ است، در حالی که BM1773 برای ظرفیت ذخیره سازی بالا طراحی شده است. هر دو eSSD در نمایشگاه FMS 2026 به نمایش درآمدند.
سامسونگ همچنین اعلام کرد که تنها شرکت جهان است که می تواند علاوه بر طراحی و تولید تراشه های حافظه و ذخیره سازی، خدمات تولید قراردادی تراشه در فرآیندهای پیشرفته از جمله 4 نانومتر و پایین تر را نیز ارائه دهد. این موضوع به سامسونگ امکان می دهد راهکاری یکپارچه در حوزه حافظه، منطق، فاندری و بسته بندی به مشتریان خود عرضه کند.
منبع: SamMobile
