
گزارشها حاکی از آن است که سامسونگ برای تولید دایهای پایه تراشههای سفارشی NVHBM HBM4E انویدیا از فرایند ۳ نانومتری TSMC استفاده میکند و تولید داخلی را نیز میآزماید.
گزارش ها حاکی از آن است که سامسونگ پذیرفته برای تولید دای های پایه تراشه های سفارشی NVHBM HBM4E انویدیا از فرایند ۳ نانومتری TSMC استفاده کند. دای هسته حافظه همچنان با فرایند 1c نسل ششم سامسونگ تولید خواهد شد؛ این شرکت هم زمان تولید دای های پایه را در کارخانه های خود نیز به عنوان گزینه ای پشتیبان آزمایش می کند.
سامسونگ معمولاً دای های پایه حافظه های HBM خود را در داخل مجموعه تولید می کند و هر دو بخش این تراشه ها، یعنی دای هسته حافظه و دای پایه، در سامسونگ فاندری ساخته می شوند. بااین حال، بنا بر گزارش ها، انویدیا از مایکرون، سامسونگ و اس کی هاینیکس خواسته است دای های پایه NVHBM را با فرایند ۳ نانومتری TSMC تولید کنند تا عملکرد تراشه ها یکسان باشد و فرایند اعتبارسنجی نیز ساده تر شود.
سامسونگ پیش تر برای بسته بندی برخی از تراشه های خود از TSMC استفاده کرده بود؛ اما این نخستین بار است که تولید تراشه را به رقیب خود می سپارد. در مقابل، تولید تراشه های استاندارد HBM4E برای AMD و دیگر مشتریان همچنان در داخل سامسونگ انجام خواهد شد.
سامسونگ همچنین در حال بررسی امکان تولید دای های پایه NVHBM در سامسونگ فاندری است تا در صورت مواجهه TSMC با محدودیت ظرفیت تولید، بتواند از این روش به عنوان گزینه ای جایگزین استفاده کند.
منبع:SamMobile
پیشنهاد خرید
گوشی سامسونگ
گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy A36 دو سیم کارت ظرفیت 128 گیگابایت و رم 8 گیگابایت
گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy A56 5G دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت
گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy S25 Ultra دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت










دیدگاهها