سامسونگ تراشه های حافظه پرپهنا باند تولید می کند که برای توسعه زیرساخت های هوش مصنوعی اهمیت حیاتی دارند. این شرکت همچنان در این حوزه مرزهای فناوری را جابه جا می کند و اکنون جزئیات جالبی درباره نسل بعدی تراشه HBM خود منتشر کرده است. سامسونگ اعلام کرده که برای دستیابی به بهبود 50 درصدی سرعت، از فناوری ساخت 2 نانومتری خود در تراشه های نسل بعدی HBM5 استفاده کرده است.
افزایش بیش از 50 درصدی سرعت با HBM5
گو جاهوم، رئیس بخش توسعه فناوری در واحد فاندری سامسونگ، گفته است که انتظار می رود HBM5 داده ها را بیش از 50 درصد سریع تر از HBM4E پردازش کند. سامسونگ قصد دارد این هدف را با به کارگیری فرآیند 2 نانومتری در پایه سیلیکونی یا همان بیس دای که لایه های متعدد DRAM روی آن پشته می شوند محقق کند. این رویکرد هم سرعت و هم بهره وری انرژی را افزایش می دهد.
فناوری فرآیند Gate All Around در مقیاس 2 نانومتر این شرکت قرار است برای تراشه های HBM4 مورد استفاده قرار گیرد. علاوه بر این، در HBM5، از طریق ویای های سیلیکونی که الکترودهای ظریف برای اتصال لایه های DRAM هستند، با فاصله چیدمان متراکم تر استفاده خواهد شد.
تجاری سازی سریع فرآیند 2 نانومتری برای پاسخ به تقاضای هوش مصنوعی
سامسونگ در شرایطی که توسعه هوش مصنوعی تقاضای عظیمی ایجاد کرده است، با سرعت بالا در حال تجاری سازی فناوری های ساخت پیشرفته خود است. این شرکت هم اکنون تولید انبوه تراشه ها بر پایه نسل اول فرآیند 2 نانومتری خود را آغاز کرده است. همچنین برنامه ریزی شده که در نیمه دوم سال جاری، تولید انبوه تراشه های جدید گوشی های هوشمند مبتنی بر نسل دوم فرآیند 2 نانومتری که بهره وری و عملکرد بهتری دارد نیز شروع شود.
منبع: SamMobile
